ה-Xiaomi 12 Pro שהושק ב-30 בדצמבר 2021 הוא הסמארטפון הראשון שהטמיע פתרון טעינה של 120W לתא בודד מכיוון שהוא מצויד בשבב הטעינה Surge P1 שפותח על ידי המותג עצמו. ובכן, בהקשר הזה, היום פרסמה חברת Shanghai Nanxin Semiconductor Technology הצהרה, שקבעה שבשבועות הקודמים הם פעלו אחרת על שבב Xiaomi Surge P1, או שהוא זהה לזה שמיוצר על ידי Nanxin Semiconductor.
האם שבב 1W Surge P120 לא פותח על ידי Xiaomi? התשובה הרשמית
לפיכך, החברה ציינה כי לאחד השבבים שפותח ומיוצר על ידי Nanxin Semiconductor יש קוד פנימי SC8561. לשבב זה יש ארכיטקטורת טעינה במתח גבוה במיוחד של 4:1, מממש טעינה של תא בודד של 120W, תומך במצבי המרה של 1:12:1 ו-4:1, כל המצבים יכולים לעבוד דו-כיוונית ויכולים להגיע ל-120W חוטי, 50W אלחוטי, טעינה אלחוטית הפוכה ו פונקציות טעינה אחרות.
בעוד שלשבב Nanxin SC8571 ששוחרר על ידי Nanxin Semiconductor בספטמבר 2021 יש ארכיטקטורת טעינה במתח גבוה במיוחד 4:2, המסוגל לממש טעינה כפולה של 120W. הוא תומך במצבי 4:22:2 לדרישות טעינה הספק גבוה מאוד.
מצד שני, שבב הטעינה Surge P1 שפותח על ידי Xiaomi שונה לחלוטין מה-Nanxin SC8571. מדובר בשני שבבי טעינה עם עיצובים שונים, פונקציות שונות ומיצוב שונה.
על פי ההקדמה הרשמית של Xiaomi, ל-Surge P1 ארכיטקטורת יעילות גבוהה במיוחד 4:1 עם תדר מיתוג אדפטיבי, יעילות התהודה היא עד 97,5%, היעילות הלא-תהודה היא 96,8% ואובדן החום צונח הוא 30% .
במקביל, ה-Surge P1 הוא גם שבב הטעינה הגבוה ביותר של Xiaomi 4:1, שיכול להשיג צפיפות הספק גבוהה במיוחד של 0,83W/mm² ובנוסף יש לו LDMOS נמוך במיוחד של 1.18mΩmm² RSP המוביל בתעשייה. באופן כללי, שבב הרבה יותר גבוה מאלה הטעינים המסורתיים.
אז למה נוצרה אי ההבנה הזו? ובכן פשוט בגלל ששבב ה-Xiaomi Surge P1 יוצר במפעלים של Nanxin Semiconductor, אבל זה לא אומר שזו לא הייתה Xiaomi שפיתחה אותו. למעשה, למעט מאוד חברות (אם בכלל) יש מפעלים זמינים לייצור הרכיבים השונים למכשיריהם.
