סדרת Redmi K40 ששוחררה בסין במרץ השנה התקבלה היטב מאז השקתה מכיוון שהיא מבטלת את החסרונות של הדגמים הקודמים ובמקביל מצוידת בשבב Snapdragon 870 הפופולרי. עם זאת, על פי כמה גילויים קודמים , Redmi כבר החלה להתמקד בפיתוח סדרת K50.
דליפה: סדרות Redmi K50 יופעלו על ידי Snapdragon 888 ו- Snapdragon 898
ובכן, הבוקר, אותו בלוגר שמסר מידע על סדרת K50, חשף היום כי אחד משלושת הדגמים החדשים של הסדרה יצויד בשבב Snapdragon 888 והשניים האחרים יצוידו בשבב "895". , המתאים לדור הבא של Snapdragon 888. שבב שחלקם כבר קוראים לו Snapdragon 898.
על פי החדשות הקודמות, לוע הארי 898 יהיה מצויד בעיצוב מעבדי שלושה אשכולות, כאשר תדירות הליבה האולטרה-גדולה היא 3,09 GHz, תדירות הליבה הגדולה היא 2,4 GHz ותדירות הליבה הקטנה. הוא 1,8 גיגה -הרץ. הליבה הגדולה בגודל 3,09 גיגה -הרץ תשתמש בדור חדש של קורטקס: בעיצוב X2. ציון הביצוע של AnTuTu עשוי לעלות בפעם הראשונה על מיליון.
מבחינת הטכנולוגיה, דווח כי ה- Snapdragon 898 ייבנה בשלב מוקדם של תהליך הייצור של סמסונג, אשר ישפר עוד יותר את צריכת החשמל ואת בעיות החימום.
ראוי לציין כי על פי החדשות האחרונות, יהיו שלושה דגמים מסדרת K50, כולל Redmi K50, Redmi K50 Pro ו- Redmi K50 Pro +. רוב התצורות של שלושת הדגמים הללו יישארו בעינן, אך יהיו הבדלים בערכת השבבים, המצלמה והטעינה המהירה.
בנוסף, כמה מקורות חשפו כי סדרת Redmi K50 תהיה מצוידת בטעינה מהירה של 100W לראשונה ואף ניתן לצפות כי תהיה טעינה מהירה של 120W, אך הגרסה הסטנדרטית לא צפויה לתמוך ב -100W, ונותרה בלעדית ל גרסת Pro +.
מבחינת מערכת המצלמות, סדרת K50 צפויה לראות שדרוג לעומת המצלמה הראשית של 108 מגה-פיקסל של גרסת ה- Pro ומצלמה הראשית של 48 מגה-פיקסל של גרסת הבסיס.
